NTB6411AN, NTP6411AN, NVB6411AN
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t, PULSE TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
NTB6411ANG
NTB6411ANT4G
NTP6411ANG
NVB6411ANT4G
Device
Package
D 2 PAK
(Pb ? Free)
D 2 PAK
(Pb ? Free)
TO ? 220
(Pb ? Free)
D 2 PAK
(Pb ? Free)
Shipping ?
50 Units / Rail
800 / Tape & Reel
50 Units / Rail
800 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
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